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Tiempo de acceso:
Intervalo de tiempo característico de un dispositivo de
almacenamiento que mide el tiempo que se tarda en establecer la
comunicación con ese dispositivo. Para las unidades de disco duro,
el tiempo de acceso viene determinado por la suma del tiempo de
partida, el tiempo de búsqueda, la latencia rotacional y el tiempo
de transferencia.
ABL (All Bit Line):
SanDisk presentó la memoria ABL (All Bit Line) en ISSCC 2008 como
una memoria significativamente más rápida que la memoria
"convencional". Mientras que la memoria convencional emplea, para
las operaciones reales, una celda sí y otra no de una línea (WL)
determinada, este diseño es capaz de emplearlas todas de forma
simultánea. Por tanto, con esta arquitectura ABL (all bit line), se
obtiene una mejora del rendimiento casi del 100% en comparación con
los chips convencionales. Con algunas técnicas adicionales, se
consiguen niveles de rendimiento incluso mayores.
AFM:
Las tecnologías Adaptive Flash Management (AFM) de SanDisk
contribuyen a mejorar las funciones de NAND. AFM incluye, por
ejemplo, la tecnología de gestión flash basada en páginas
ExtremeFFS™, la arquitectura All Bit Line (ABL) y las métricas de
resistencia.
Angstrom (Å):
Unidad de medida lineal equivalente a la diez mil millonésima
parte del metro. El diámetro de un cabello humano mide alrededor de
750.000 Å.
Matriz:
En litografía, los patrones repetitivos de un dado como, por
ejemplo, una matriz de celdas de memoria.
Estándar ATA 8:
El estándar ATA-8 está diseñado para ser compatible con el comando
"Data Set Management". Este comando es la clave para habilitar la
función TRIM.
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Bloque erróneo:
Un bloque fabricado con defectos o que ha quedado inutilizable con
el tiempo.
Administración de bloques erróneos:
Una metodología que marca y aísla los bloques erróneos para que no
se puedan utilizar. Con la administración de bloques erróneos, se
almacenan los datos destinados a los bloques erróneos en otros
sectores.
Bit:
Unidad básica de información.
Bloque:
División física de un mensaje realizada a partir de una secuencia
de bytes o bits de tamaño nominal (longitud del bloque) para fines
de transferencia de mensajes. La división o direccionamiento de los
datos en bloques se emplea prácticamente de forma universal en el
almacenamiento de los datos en las cintas magnéticas de 9 pistas,
para los medios giratorios como, por ejemplo, disquetes, discos
duros o discos ópticos y para la memoria flash NAND. En la
tecnología flash NAND, un bloque se define como la unidad de
borrado más pequeña. En una unidad de disco duro, un bloque es la
intersección de una pista y un sector. La dirección se especifica
proporcionando el número de cilindro, cabezal y sector (CHS).
Boro:
Elemento químico con el número atómico 5, empleado para el dopaje
de silicio de los canales p.
Byte:
Unidad de datos formada por 8 bits.
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Canal:
Conducto para el flujo de corriente en el transistor, MOSFET entre
el material semiconductor de tipo n o de tipo p.
Transistor de memoria de carga atrapada:
Almacena la carga (electrones) en la puerta flotante.
Circuito:
La combinación de elementos y componentes eléctricos que permite
una función determinada.
Sala blanca:
La zona cerrada que se emplea en fabricación con una clase
definida que limita los niveles de contaminación y controla la
humedad, la temperatura y las partículas del aire.
CMOS (Semiconductor complementario de óxido
metálico):
Proceso de fabricación que incorpora transistores MOS de canal p
y canal n en el mismo sustrato de silicio.
Cristal:
Cuerpo sólido homogéneo formado por un patrón tridimensional de
átomos, iones o moléculas que se repite y con distancias fijas
entre las partes que lo forman, a menudo caracterizado por
presentar caras planas externas.
Cilindro:
Todas las pistas accesibles en una unidad de disco duro sin mover
el cabezal.
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Fiabilidad de los datos
La capacidad de un sistema o componente de realizar las funciones
requeridas bajo las condiciones establecidas durante un período de
tiempo específico. Se llevan a cabo pruebas especiales
(calificación) para predecir el rendimiento a lo largo del ciclo de
vida de un producto.
Retención de datos:
Período de tiempo máximo en que los datos escritos se pueden
recuperar de forma fiable de la memoria no volátil.
Imperfección:
Irregularidad química o estructural de un cristal que merma la
calidad su estructura ideal de cristal o las capas construidas
sobre la oblea.
Dado:
Combinación de circuitos integrados con una funcionalidad
definida, que se imprimen a cientos en una oblea de silicio. El
dado al descubierto no se encuentra empaquetado.
Dieléctrico:
Aislante empleado para describir los elementos no metálicos y su
interacción con los campos eléctricos, magnéticos o
electromagnéticos, incluido el almacenamiento de energía eléctrica
y magnética y su disipación. Mediante los supuestos subyacentes
dieléctricos, se pueden describir muchos fenómenos de la
electrónica, del estado sólido y de la física óptica.
Error de posición:
Invierte el valor de un bit durante la operación de lectura o de
escritura.
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EEPROM (memoria de sólo lectura programable y borrable
eléctricamente):
Ésta es una versión anterior de la memoria no volátil.
Encapsulación:
El proceso de empaquetado de un dado con los circuitos para su
protección mecánica y medioambiental.
Resistencia:
Número de ciclos de escritura/borrado que puede realizar la
memoria flash sin perjudicar la fiabilidad de los datos.
Métricas de duración:
SanDisk desarrolló la primera métrica del sector (antes conocida
como LDE) capaz de expresar la cantidad de datos que se pueden
escribir en una unidad de estado sólido durante su vida útil en una
cifra sencilla, precisa y relevante. La especificación de está
métrica se desarrolló en SanDisk y se envió a JEDEC como referencia
para que los usuarios pudieran comparar la resistencia de los datos
de las unidades SSD de varios fabricantes. Al estar basada en la
actividad habitual del usuario final, esta métrica indica el número
total de escrituras de datos, expresada en terabytes escritos
(TBW), que se pueden realizar durante la vida útil de la unidad
SSD. Los datos se escriben utilizando la distribución de tamaño
para la transferencia típica a PC de las escrituras con una
velocidad constante durante la vida de la unidad SSD. Los datos se
guardan durante al menos un año después de que se haya alcanzado el
valor máximo de TBW. Según las mediciones internas de SanDisk, un
usuario típico de PC cliente escribe 4 GB al día.
EPROM (Memoria de sólo lectura programable y borrable
eléctricamente):
Ésta es una versión anterior de la memoria no volátil.
Código de detección/corrección de errores
(EDC/ECC)
Permite detectar errores y corregirlos mediante la reconstrucción
de los datos originales empleando bits adicionales. También aumenta
la retención de datos.
Decapado:
Técnica de fabricación que elimina de forma química las capas de
la superficie de una oblea durante el proceso de fabricación. El
decapado es un proceso de vital importancia que se lleva a cabo
varias veces en una oblea en muchos pasos con el objetivo de
conseguir un número mínimo de defectos. Parte de la oblea se
protege del decapado mediante una máscara que resiste este proceso.
En algunos casos, la máscara es fotorresistente para su uso en la
creación de patrones mediante fotolitografía. En otros casos, se
emplea nitruro de silicio, que es un material más resistente.
ExtremeFFS™*(Extreme Flash
File System)
La tecnología ExtremeFFS™* tiene el potencial de
acelerar el rendimiento de escritura aleatoria y, por tanto,
ampliar la resistencia de las unidades SSD de SanDisk en el
interior de los PC que ejecutan sistemas operativos como, por
ejemplo, Windows XP y Windows 7. La tecnología ExtremeFFS aplica un
nuevo enfoque a la gestión de flash basado en elementos de diseño
como, por ejemplo:
- Algoritmo basado en página: La tecnología
ExtremeFFS emplea un algoritmo basado en página sin conexión fija
entre la ubicación lógica y la física. De esta forma, las SSD de
SanDisk® tienen la libertad de almacenar una parte de los datos
escritos donde sea más cómodo y eficiente.
- Arquitectura completamente antibloqueo: los
canales NAND operan de forma independiente en función de las
actividades del usuario; algunos leen, mientras que otros escriben
o recogen desechos.
*ExtremeFFS es un algoritmo de gestión de flash
basado en página de SanDisk optimizado para los sistemas operativos
más populares, que posee el potencial para aumentar
significativamente las velocidades de escritura aleatoria en la SSD
y la eficiencia, con lo que se acelera el rendimiento y se prolonga
la resistencia de las SSD en el interior del PC.
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Fab (planta de fabricación):
Instalaciones de fabricación de obleas semiconductoras.
Memoria flash:
Memoria semiconductora no volátil formada por celdas de la
arquitectura de memoria de un transistor. El mecanismo de la
memoria está formado por una carga de almacenamiento en la puerta
dieléctrica. Una segunda puerta en el transistor permite el
almacenamiento de los datos y el borrado simultáneo de los bloques
de memoria definidos de forma electrónica.
Puerta flotante:
Almacena una carga eléctrica durante períodos de tiempo
prolongados incluso sin conexión a la alimentación. Los electrones
almacenados en la puerta flotante son detectados por la tensión de
umbral.
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Puerta:
Un electrodo que regula el flujo de corriente en un transistor
semiconductor de óxido metálico (MOS).
Óxido de puerta:
Fina capa de óxido puro, sin imperfecciones y formado
térmicamente. Actúa como la capa dieléctrica en el transistor
MOSFET, entre la salida y la fuente.
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Cabezal (también denominado brazo de
acceso):
Escribe los datos o los lee en la superficie del plato de una
unidad de disco duro. Cada cabezal funciona en uno de los lados de
un plato.
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Lingote:
En la industria de los semiconductores, es un material fabricado
de silicio que se procesa para conseguir silicio en un solo
cristal. A continuación, se corta y se pulimenta para conseguir
obleas, a partir de las que se pueden fabricar una amplia gama de
dispositivos, como microprocesadores.
Entrada/salida por minuto (IOPS):
Medida del número de operaciones (p. ej. lectura o escritura)
realizadas en un minuto. Al obtener acceso a los archivos
aleatorios, la unidad de estado sólido alcanza un mayor número de
IOPS que la unidad de disco duro.
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JEDEC: Joint Electron Device Engineering Council
(Asociación de fabricantes de dispositivos
electrónicos):
Asociación líder en el desarrollo de estándares para la industria
del estado sólido, formada por cerca de 3.000 miembros nombrados
por 295 empresas que trabajan en 50 comités del JEDEC.
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Latencia:
Tiempo de retraso anterior a la realización de una operación.
Nivel:
Método lógico para definir el valor analógico de un bit. 1 bit
requiere 2 niveles.
Litografía:
Forma abreviada de fotolitografía, técnica de microfabricación
empleada para diseñar el patrón para circuitos integrados y
sistemas microelectromecánicos. Este término se modificó del mundo
de la impresión, tanto de texto como de obras artísticas, donde la
litografía hace referencia al uso de óleos o grasa y goma arábiga
para dividir la superficie blanda en secciones que aceptan la tinta
y secciones hidrofílicas que la rechazan y, por tanto, se
convierten en el fondo.
Direccionamiento lógico de bloques (LBA):
Plan de direccionamiento que enumera los bloques de forma lineal,
en lugar de por los números de cilindro, cabezal y sector (CHS). El
método LBA sustituye generalmente al plan de direccionamiento de
bloques heredados, aunque ambos son compatibles en las unidades de
estado sólido y discos duros.
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Máscara:
Placa de vidrio o cuarzo que contiene la imagen fotográfica de los
patrones de obleas y que define una sola capa del proceso. La
máscara se expone a una capa fotosensible y cubre la superficie de
una oblea para exponer/ocultar las zonas seleccionadas a los
distintos procesos de fabricación.
Tiempo medio entre fallos (MTBF):
Tiempo promedio que transcurre hasta que ocurre un fallo.
Tiempo medio hasta un fallo (MTTF):
Tiempo que transcurre hasta que ocurre el primer fallo. Se emplea
en sistemas en los que el primer fallo normalmente es fatal.
Celda de memoria:
Intersección de una línea de bits y una línea de palabra que
identifica la ubicación en que están almacenados los datos.
MOSFET (Transistor de efecto de campo de semiconductor
de óxido metálico):
Dispositivo empleado para ampliar o cambiar las señales
electrónicas. Es el transistor de efecto de cambio más habitual
tanto para los circuitos digitales como para los analógicos. El
transistor MOSFET está formado por un canal de material
semiconductor de tipo n o de tipo p.
Micrómetro:
Unidad métrica de medida lineal igual a la millonésima parte del
metro o a 10.000 angstroms.
Ley de Moore:
Esta ley, basada en una predicción realizada en 1965, establece
que la densidad de los transistores se duplica cada 18-24 meses.
Permite la miniaturización de los circuitos integrados.
Celda de nivel múltiple (MLC):
Permite el almacenamiento de más de un bit en cada celda única, es
decir, D2, D3, x4.
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Tecnología de aceleración nCache™1
:
La tecnología de aceleración nCache™ es una caché de escritura no
volátil SLC de gran tamaño y exclusiva de las unidades SSD de
SanDisk que mejora el rendimiento de escritura aleatoria y
garantiza una experiencia de usuario mejorada. Algunos estudios han
demostrado que la mayoría de sistemas operativos utilizan bloques
de acceso de 4 K para acceder al dispositivo de almacenamiento. La
caché se llena durante estos pequeños comandos de escritura y se
vacía durante el tiempo de inactividad cuando el host no accede a
la unidad, sin ningún riesgo de pérdida de datos. Para un uso
normal diario, el rendimiento de escritura que perciben los
usuarios es el alto rendimiento de la función nCache™ (ráfaga) y no
el rendimiento de estado permanente (sostenido) de la unidad SSD.
Basado en el test de escritura aleatoria de 4K IOmeter
Flash NAND:
Memoria no volátil que permite el acceso secuencial a las celdas
de memoria. Emplea el silicio de forma más eficiente que la
tecnología flash NOR y, por tanto, origina un coste más bajo por
gigabit, consigue una velocidad de escritura mayor que ésta y es
adecuada para el almacenamiento masivo de datos.
Memoria no volátil (NVM):
Tipo de memoria que retiene los datos incluso en ausencia de
energía.
Flash NOR:
Memoria no volátil que permite el acceso directo a todas las
celdas de memoria. Utiliza el silicio de forma menos eficiente que
la tecnología flash NAND y, por tanto, origina un coste más alto
por gigabit, consigue una velocidad de acceso aleatorio rápida pero
una velocidad de escritura menor que ésta y es adecuada para el
almacenamiento de códigos.
Tipo n:
Material semiconductor que posee una conductividad de carga
negativa con un exceso de electrones.
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Programable una sola vez (OTP):
Memoria de una sola escritura y que no se puede borrar, aunque sin
límite de lecturas.
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Página:
Unidad de escritura más pequeña de la memoria flash NAND.
Plato:
Disco giratorio empleado en la unidad de disco duro. Los datos se
escriben a la altura del cabezal en la parte superior de la parte
inferior de la superficie del plato.
Classes de energia :
Alocações de energia superiores em aplicativos de computação
móveis. A unidade SanDisk i100 é compatível com Classes de energia,
que podem limitar o desempenho da SSD com o intuito de também
limitar o consumo de energia. Ela fornece a possibilidade de
flexibilidade otimizada entre energia e desempenho e permite que os
OEMS tirem proveito dos diversos benefícios da SSD mesmo quando o
desempenho máximo não é necessário.
Placa de circuito impreso (PCB)
Tarjeta formada por material aislante de bajo coste,
específicamente dieléctrico para ser compatible con los componentes
electrónicos mecánicamente y conectarlos eléctricamente. La placa
de circuito impreso emplea vías conductivas o rastros, decapados de
las hojas de cobre laminadas sobre un sustrato no conductivo.
Tipo p:
Material semiconductor de conductividad de carga positiva con
deficiencia de electrones, que normalmente se consigue mediante
dopaje de boro.
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Acceso aleatorio:
Capacidad de obtener acceso a todos los elementos en una secuencia
sin una orden especial en el mismo tiempo.
Memoria de acceso aleatorio (RAM):
Memoria volátil que se puede leer/escribir en ubicaciones
arbitrarias en una secuencia arbitraria.
Fiabilidad:
Probabilidad de que un producto realice las funciones previstas en
las condiciones definidas durante un tiempo especificado.
Revoluciones por minuto (rpm):
Método empleado para medir la velocidad de una unidad de disco
duro en función del número de revoluciones por minuto que realiza
el disco.
Latencia rotacional:
Retraso en la rotación de la unidad de disco duro para alinear el
sector requerido bajo el cabezal (se calcula como la mitad de la
duración de la rotación de un ciclo completo de la
placa).
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SATA uSSD™:
Estándar SATA-IO para unidades de estado sólido integradas
(unidades SSD). La especificación SATA µSSD™ elimina el conector de
módulo de la interfaz SATA tradicional, lo que permite a los
desarrolladores crear una implementación SATA de un solo chip para
aplicaciones de almacenamiento integradas. El estándar se
implementa con el dispositivo de almacenamiento integrado iSSD™ de
SanDisk®.
Sector:
Trozo en forma de rebanada de pastel en el plato de la unidad de
disco duro que contiene la zona mínima de direccionamiento en la
que se pueden escribir/leer los datos.
Tiempo de búsqueda:
Tiempo que tarda el cabezal en alcanzar la pista deseada en una
unidad de disco duro.
Semiconductor:
Material sólido con características de conductividad eléctrica que
se encuentra entre el conductor y el aislante.
Silicio:
Elemento de la tabla periódica empleado en la fabricación de
semiconductores.
Celda de nivel único (SLC):
Celda en la que se almacena un solo bit.
Seccionado:
Proceso de corte de una oblea en dados individuales.
Tiempo de partida:
Tiempo requerido para acelerar la unidad de disco duro hasta
alcanzar la velocidad de funcionamiento.
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Tensión de umbral:
Detecta los electrones en la puerta flotante y actúa como la
tensión de puerta para permitir el flujo de corriente.
Pista:
Círculos finos y concéntricos de la superficie del plato de una
unidad de disco duro empleados para ayudar a identificar la
ubicación de los datos.
Transistor:
Semiconductor empleado como amplificador o interruptor controlado
eléctricamente. Constituye la base de los bloques que forman los
circuitos de los equipos, teléfonos móviles y otros dispositivos
electrónicos modernos. El transistor está formado por material
semiconductor e incluye tres terminales como mínimo para conectarse
a un circuito externo. La aplicación de tensión o corriente a dos
de los terminales cambia el flujo de corriente a través de otro par
de terminales. Debido a que la energía controlada puede ser mucho
mayor que la energía de control, el transistor es capaz de
amplificar la señal.
Cargas atrapadas:
Cargas atrapadas en el óxido de puerta y que forman parte del
proceso que hace posible la memoria no volátil.
TRIM:
Gracias a TRIM, es posible una ganancia sustancial en el
rendimiento del producto, informando a la SSD del espacio no
utilizado en los medios, permitiendo gestionar de forma continua
sus recursos y retener un rendimiento optimizado de la retención a
lo largo de su vida útil.
Efecto túnel:
Fenómeno físico en que los electrones atraviesan una capa aislante
o un espacio entre dos conductores. El efecto túnel es la base de
las operaciones de lectura y escritura de la memoria flash
NAND.
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Memoria volátil:
Tipo de memoria con la que se pierden los datos si se desconecta
la alimentación.
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Oblea:
Una parte fina de caras paralelas cortadas de un cristal
semiconductor como, por ejemplo, el silicio. La oblea de silicio se
prepara a partir de lingotes de silicio.
Nivelación del desgaste:
Tecnología que evita el desgaste de los bloques específicos para
ampliar la vida útil de la memoria flash distribuyendo de forma
homogénea los datos de los ciclos de escritura/borrado por todos
los medios flash. La nivelación del desgaste es especialmente
importante para los sistemas de archivos típicos (p. ej, el sistema
de archivos DOS FAT) y los algoritmos de gestión de archivos que
realizan operaciones de escritura/lectura de forma repetida en las
mismas ubicaciones físicas.
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Rendimiento:
Porcentaje de los dados no erróneos en una oblea vs. el número
total de dados.